Pesquisadores da Universidade Fudan anunciaram um avanço experimental que pode redefinir os padrões de armazenamento de dados. O novo desenvolvimento, chamado PoX, é um tipo de memória RAM de próxima geração capaz de gravar informações em apenas 400 picossegundos – o equivalente a cerca de 25 bilhões de operações por segundo. Essa velocidade é aproximadamente 10.000 vezes maior do que a da memória flash encontrada em laptops comuns.
Enquanto memórias tradicionais como DRAM e SRAM são rápidas, mas perdem dados quando desligadas, e a memória flash mantém informações sem energia, mas é lenta para aplicações modernas de IA e processamento intensivo, o PoX surge como uma solução inovadora. A tecnologia utiliza grafeno bidimensional no lugar do silício convencional, aproveitando seu transporte de carga balístico extremamente eficiente para um efeito chamado “super-injeção”, que enche a célula de memória com carga elétrica em velocidades sem precedentes.
Sob a liderança do professor Zhou Peng, a equipe empregou inteligência artificial para otimizar o processo de design, alcançando o limite teórico de desempenho. O aspecto mais disruptivo do PoX é sua natureza não volátil – ele retém dados mesmo sem energia, o que pode reduzir drasticamente o consumo em servidores de IA, smartphones e outros dispositivos. Isso abre caminho para aparelhos que ligam instantaneamente e chips de IA que dispensam os caches SRAM, volumosos e energeticamente ineficientes.
Apesar do potencial transformador, ainda faltam dados sobre durabilidade e viabilidade de produção em larga escala. Se superar esses desafios, o PoX poderá impactar desde a eletrônica de consumo até sistemas militares. A grande questão agora é quanto tempo levará para que essa tecnologia saia dos laboratórios e chegue aos dispositivos do dia a dia. Por enquanto, ela permanece como uma promessa empolgante, mas ainda não testada em aplicações reais.
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